О критической температуре сверхпроводящего фуллерена С28 | Статья в журнале «Молодой ученый»

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 30 ноября, печатный экземпляр отправим 4 декабря.

Опубликовать статью в журнале

Библиографическое описание:

О критической температуре сверхпроводящего фуллерена С28 / Н. А. Тайланов, А. Н. Урозов, А. Х. Жуманов [и др.]. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2019. — № 11 (249). — С. 13-15. — URL: https://moluch.ru/archive/249/57249/ (дата обращения: 16.11.2024).



В данной работе получено численное значение для критической температуры фуллерена С28 на основе потенциала электрон-фононного взаимодействия. Приведены примеры возможности применения фуллеренов в различных областях техники и микроэлектроники.

Ключевые слова: фуллерены, нанотрубки, наноматериалы, применение

Одной из основных задач направленного поиска новых углеродных фуллеренов (и более сложных по составу наночастиц) является установление фундаментальных зависимостей энергетической стабильности данных нанокластеров от их размера, топологии и состава, основанных на детальном изучении их электронно-энергетических состояний.

В настоящее время предложено большое число модельных схем и выполнено значительное количество квантовохимических расчетов конкретных фуллеренов, позволяющих связать проблему их устойчивости со спецификой их электронного строения и типом межатомных взаимодействий. В частности, предложено т. н. правило изолированных пятиугольников (ПИП), которое запрещает образование комбинации пятиугольных граней, разделенные ребром [1]. Согласно этому правилу, фуллерены с n<60 являются неустойчивыми, хотя есть сообщение о синтезе фуллерена С32 [2]. С помощью простых топологических методов показана возможность существования большого числа иных фуллеренов, включая и наименьший из них — правильный додекаэдр C20. В связи с изложенным большой интерес представляет проблема формирования структуры, электронного энергетического состояния и способов стабилизации т. н. малых фуллеренов (С28, С32, C40) как “пограничных” в семействе клеточных углеродных нанокластеров. В настоящей работе указанные вопросы рассматриваются для фуллерена С28. Оптимизированная структура С28 (рисунок 1) представляет собой полиэдр с тремя группами неэквивалентных С-атомов [3]. Верхние заселенные несвязывающие орбитали С28 локализованы на четырех С-атомах, составляющих одну из упомянутых атомных групп (С1) углеродной клетки.

Рис. 1. Структура кристалла С28

В определенных условиях молекулы С28 имеют свойство упорядочиваться в пространстве, они располагаются в узлах кристаллической решетки, иными словами, фуллерен образует кристалл, называемый фуллеритом. Чтобы молекулы С28 систематично разместились в пространстве, как и их атомы, они должны связаться между собой. Данная связь между молекулами в кристалле обусловлена наличием слабой ван-дер-ваальсовой силы. Это явление объясняется тем, что в электрически нейтральной молекуле отрицательный заряд электронов и положительный заряд ядра рассредоточены в пространстве, в следствии чего молекулы способны поляризовать друг друга, иными словами, они приводят к смещению в пространстве центров положительного и отрицательного зарядов, что обуславливает их взаимодействие [4].

Потенциал электрон-фононного взаимодействия можно представить в виде

где α и α’ молекулярные уровни, g постоянный параметр. Матричный элемент оценивался, конечно-дифференциальной схеме и составляет 181 МэВ. Тогда, используя выражение для константы электрон-фононного взаимодействия

,

легко можно вычислить температуру сверхпроводящего перехода. Как мы знаем, что температура фазового перехода зависит от постоянной решетки фуллерена [3]. Максимальная температура перехода фуллеренов щелочных металлов немного выше 30 К (например, для молекулы фуллерена С60), но для сложного состава она превышает 40 К. На основе решения системы уравнений Элиашберга [5] можно представить выражение для температуры сверхпроводящего перехода

Здесь — фононная частота,

кулоновский псевдопотенциал. Таким образом, задача вычисления температуры сверхпроводящего перехода Tc сводится к расчету величин , и . Для типичных значений параметров ωln =103 K, λ=1.2 и μ*≈0.22, N(0)=5 эВ/спин, Vep =181 МэВ мы имеем для температуры сверхпроводящего перехода Tc28) ≈8.03Tc60).

Открытие фуллеренов внесло мощную струю в новое направление технологии, называемое нанотехнологией. Приставка «нано» в переводе с греческого означает карлик». Нанотехнология — это научное направление, которое изучает свойства и закономерности поведения частиц, имеющих хотя бы в одном измерении менее 1 нанометра. (Нанометр — это одна миллиардная часть метра). Диаметр молекулы фуллерена составляет 0.7 нм. Из-за малого размера и уникальных свойств фуллерены стали визитной карточкой нанотехнологий. В 1991 г. японский ученый Суимо Иджима открыл новые наночастицы, тесно связанные с фуллеренами. Они получили название углеродные нанотрубки. Такие трубки представляют собой графитовую плоскость, свёрнутую в виде цилиндра, закрытые с концов полусферами фуллерена. Углеродные нанотрубки обладают уникальными свойствами: они являются хорошими проводниками тока и тепла. Волокна, созданные на основе нанотрубок, несмотря на их кажущуюся ажурность, обладают уникальной прочностью: в 10 раз прочнее стали и в 6 раз легче стали.

Литература:

  1. Соколов В. И., Станкевич И. В. Фуллерены — новые аллотропные формы углерода: структура, электронное строение и химические свойства//Успехи химии, т.62 (5), с.455, 1993.
  2. Новые направления в исследованиях фуллеренов//УФН, т. 164 (9), с. 1007, 1994.
  3. Елецкий А. В., Смирнов Б. М. Фуллерены и структуры углерода//УФН, т. 165 (9), с.977, 1995.
  4. Мастеров В. Ф. Физические свойства фуллеренов//СОЖ № 1, с.92, 1997D:\Install\Dars\Document\грант\макола\фулло\фулло\структура\ФУЛЛЕРЕНЫ - НОВАЯ АЛЛОТРОПНАЯ ФОРМА УГЛЕРОДА_files\1
  5. G. M. Eliashberg. Interactions between electrons and lattice vibrations in a superconductor// Zh. Eksperim. i teor. Fiz., 28:996, 1960.
Основные термины (генерируются автоматически): FKK, LGBTQ, PUNTO, LANZAROTE, LGTB, LGTBI.


Похожие статьи

О диффузионных параметрах примесных атомов V группы элементов в кремнии

В работе проанализированы диффузионные процессы элементов V группы в кремнии и с помощью метода «наименьших квадратов» получены выражения, удовлетворяющие экспериментальные результаты для диффузионных параметров.

Поиск неорганических материалов для создания Na-ионных электрохимических батарей с использованием кристаллохимического анализа

Известно, что создание Li-ионных батарей было успешным в большой степени благодаря высокой ионной проводимости в структуре LiCoO2 [1]. Предсказание свойств материалов с помощью компьютерных вычислений позволяет значительно сократить время разработки ...

Спектральное распределение фотопроводимости и фотолюминесценции в монокристаллах TlInSe2, активированных редкоземельными элементами Dy

Интенсивное развитие полупроводниковой электроники стимулирует подробное изучение новых свойств уже известных веществ, а также поиск и исследование новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. На основе РЗЭ созданы вещества...

Получение и исследование оптических свойств монокристаллов полупроводниковых соединений CuInSe2

Учитывая крайне низкую стоимость меди и селена, и высокопроизводительную вакуумную напылительную технологию, по экономической эффективности, тонкие слои из CuInSe2 могут успешно конкурировать с известными материалами оптоэлектроники — кристаллами CuS...

Влияние примесей инертного газа на режимы генерации магнетрона

В работе приведены исследования влияния частиц инертного газа на выходные характеристики магнетрона. Эксперименты показали, что соответствующим подбором концентрации примеси инертного газа можно добиться смещения частоты генерации на величину большую...

Использование диэлектрических Ми-резонансных частиц для усиления оптических явлений

В статье авторами сообщается о возможностях применения диэлектрических Ми-резонансных частиц для усиления оптических явлений и влиянии физических свойств частиц на резонансы Ми.

Наноструктурирование редкого и рассеянного индия

Показана возможность наноструктурирования редкого и рассеянного индия с целью получения наночастиц с использованием энергии импульсной плазмы.

Исследование материалов, содержащих экситоны, сохраняющие стабильность при комнатной температуре

В статье автор представляет результаты работы и исследований материалов с энергией связи достаточной для того, чтобы экситоны существовали при комнатной температуре.

Изучение влияния температурного и лазерного отжига на эмиссионные свойства сплава Pd-Ba

Сравнительный анализ показал, что в условиях высокого вакуума лазерная активировка приводит к значительно большему увеличению σm, чем в случае температурной активировки. Это объясняется интенсивным удалением примесных атомов О, С, S под действием лаз...

Оптические фильтры на основе наноструктур с квантовыми точками

В работе рассмотрены физические принципы и методы реализации фильтров оптического диапазона на основе плазмонных наноструктур и композиционных наночастиц FemOn-SiO2.

Похожие статьи

О диффузионных параметрах примесных атомов V группы элементов в кремнии

В работе проанализированы диффузионные процессы элементов V группы в кремнии и с помощью метода «наименьших квадратов» получены выражения, удовлетворяющие экспериментальные результаты для диффузионных параметров.

Поиск неорганических материалов для создания Na-ионных электрохимических батарей с использованием кристаллохимического анализа

Известно, что создание Li-ионных батарей было успешным в большой степени благодаря высокой ионной проводимости в структуре LiCoO2 [1]. Предсказание свойств материалов с помощью компьютерных вычислений позволяет значительно сократить время разработки ...

Спектральное распределение фотопроводимости и фотолюминесценции в монокристаллах TlInSe2, активированных редкоземельными элементами Dy

Интенсивное развитие полупроводниковой электроники стимулирует подробное изучение новых свойств уже известных веществ, а также поиск и исследование новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. На основе РЗЭ созданы вещества...

Получение и исследование оптических свойств монокристаллов полупроводниковых соединений CuInSe2

Учитывая крайне низкую стоимость меди и селена, и высокопроизводительную вакуумную напылительную технологию, по экономической эффективности, тонкие слои из CuInSe2 могут успешно конкурировать с известными материалами оптоэлектроники — кристаллами CuS...

Влияние примесей инертного газа на режимы генерации магнетрона

В работе приведены исследования влияния частиц инертного газа на выходные характеристики магнетрона. Эксперименты показали, что соответствующим подбором концентрации примеси инертного газа можно добиться смещения частоты генерации на величину большую...

Использование диэлектрических Ми-резонансных частиц для усиления оптических явлений

В статье авторами сообщается о возможностях применения диэлектрических Ми-резонансных частиц для усиления оптических явлений и влиянии физических свойств частиц на резонансы Ми.

Наноструктурирование редкого и рассеянного индия

Показана возможность наноструктурирования редкого и рассеянного индия с целью получения наночастиц с использованием энергии импульсной плазмы.

Исследование материалов, содержащих экситоны, сохраняющие стабильность при комнатной температуре

В статье автор представляет результаты работы и исследований материалов с энергией связи достаточной для того, чтобы экситоны существовали при комнатной температуре.

Изучение влияния температурного и лазерного отжига на эмиссионные свойства сплава Pd-Ba

Сравнительный анализ показал, что в условиях высокого вакуума лазерная активировка приводит к значительно большему увеличению σm, чем в случае температурной активировки. Это объясняется интенсивным удалением примесных атомов О, С, S под действием лаз...

Оптические фильтры на основе наноструктур с квантовыми точками

В работе рассмотрены физические принципы и методы реализации фильтров оптического диапазона на основе плазмонных наноструктур и композиционных наночастиц FemOn-SiO2.

Задать вопрос