Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора | Статья в журнале «Молодой ученый»

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 26 октября, печатный экземпляр отправим 30 октября.

Опубликовать статью в журнале

Автор:

Рубрика: Технические науки

Опубликовано в Молодой учёный №20 (258) май 2019 г.

Дата публикации: 16.05.2019

Статья просмотрена: 543 раза

Библиографическое описание:

Калинушкин, Д. О. Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора / Д. О. Калинушкин. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2019. — № 20 (258). — С. 104-107. — URL: https://moluch.ru/archive/258/59081/ (дата обращения: 17.10.2024).



Статья посвящена разработке модели измерения заряда переключения МОП-транзисторов, с дальнейшим использованием при создании стенда измерения параметров полевых транзисторов.

Ключевые слова: МОП-транзистор, заряд затвор — исток, заряд затвор — сток, ток стока, временные интервалы.

Современный рынок электроники — это сложнейшая система взаимоотношений производителей и потребителей, продавцов и покупателей. Одной из больших проблем является появление на нем подделок МДП-транзисторов. Поэтому актуальной задачей является входной контроль основных параметров этих полупроводниковых приборов. Таким параметром является заряд переключения.

Полный заряд затвора имеет две составляющих: заряд затвор — исток и заряд затвор — сток (часто называемый зарядом Миллера). Ток стока может быть получен от источника напряжения величиной 0,8хVds с последовательным резистором соответствующей величины. Импульс, подаваемый на затвор, должен быть достаточной длительности, чтобы гарантировать полное включение полевого транзистора. Он может быть получен от генератора, работающего при малом коэффициенте заполнения [2]. На рис. 1 показана схема измерения заряда переключения и форма сигнала при проведении анализа.

Рис. 1. Схема измерения заряда переключения ПТ

Из соотношения Θ = i, были получены следующие формулы для расчета заряда (1):

, , , (1)

где Qg полный заряд затвора, Qgs заряд затвор-исток, Qgd заряд затвор-сток.

Значение Qg определяется по уровню напряжения равному 10В, а значение Qgd вычисляется как разница между временными интервалами, так называемой “полки”. Заряд затвор-исток (Qgs) равен разнице между значением Qg и Qgd [1].

Для проверки работоспособности построенной модели была выбрана программа Proteus 7.10. В качестве исследуемой модели транзистора был выбран IRF630, характеристики которого представлены в табл. 1.

Таблица 1

Параметры транзистора IRF630

Параметр

Рекомендованное значение, nC

Qg

До 37

Qgs

7,2

Qgd

11

На рис. 2 представлена модель измерения заряда переключения МДП-транзистора. Моделируется работа АЦП на микросхеме AD7322, которая пересылает данные по SPI шине. На затвор подается постоянный ток 1,5 mA, а на сток напряжение равное 100 В. В качестве исследуемого транзистора был выбран IRF630

Рис. 2. Схема измерения заряда переключения полевого транзистора

На рис. 3 представлена временная диаграмма заряда переключения транзистора IRF630.

document

Рис. 3. График заряда переключения IR630

По построенному графику определяются доверительные временные интервалы, после чего измеренные значения подставляются в формулы и вычисляются заряда затвор-исток, заряд затвор-сток и полный заряд затвора. Полученные результаты представлены в табл.2 и входят в доверительные интервалы, соответствующие значениям из рабочей документации (в таблице указаны максимальные значения).

Таблица 2

Экспериментальные идокументационные параметры IRF530

Параметр

Рекомендованное значение, nC

Измеренное значение, nC

Qg

До 37

9

Qgs

7,2

7,2

Qgd

11

1,8

Вывод

Исследование показало, что с помощью модели можно измерять заряд переключения полевого транзистора. Главными достоинствами можно назвать простоту автоматизации измерений и использование при контроле входных параметров МОП-транзисторов на производстве. Другим достоинством можно назвать возможность выявления недоработок самих моделей транзисторов в SPICE — системах.

Литература:

  1. А. И. Колпаков В лабиринте силовой электроники (Сборник статей) — СПб: «Издательство Буковского», 2000. — 96 с.: ил.
  2. Измерение характеристик МОП-транзистора. International Rectifier. AN-975B.
Основные термины (генерируются автоматически): заряд, полевой транзистор, полный заряд затвора, схема измерения заряда переключения, SPI, SPICE, заряд переключения, затвор, параметр, рекомендованное значение, ток стока.


Ключевые слова

временные интервалы, МОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стока

Похожие статьи

Разработка устройства, получающего вольтамперные характеристики МДП-транзистора

В данной статье предложена разработка устройства для получения вольтамперных характеристик (ВАХ) МДП-транзистора с выводом данных на компьютер со следующими характеристиками: напряжение на затворе от 0 до 5В, напряжение сток-исток от 0 до 10В, темпер...

Определение энергии потерь переходных процессов переключения полупроводниковых приборов методами компьютерного моделирования

В настоящей работе с помощью методов компьютерного моделирования было произведено определение энергии потерь переходных процессов переключения полевого транзистора при работе в ключевом режиме в цепи с активно-индуктивной нагрузкой на примере существ...

Исследование изменения порогового напряжения МОП транзистора при нагреве для технологического процесса 14 нм

В статье исследованы изменения порогового напряжения транзистора при нагреве и применение этого исследования на простом инверторе.

Особенности преобразователя с активным ограничением напряжения

В статье рассмотрен способ размагничивания сердечника с помощью активного ограничения напряжения.

Разработка системы измерения сопротивления

В данной статье рассматривается МП-система измерения сопротивления. Данная система способна проводить измерение сопротивлений в диапазоне от 1 Ом до 1 кОм с точностью 1 %. Основой системы является 8-разрядный АЦП К1107ПВ2.

Измеритель среднего уровня тока

В данной статье представлена разработка устройства измерения среднего уровня тока с диапазоном измерения 0,01–1 А.

Программа для расчёта электрического сопротивления терморезисторов NTC-типа

В статье рассматривается проблема расчета сопротивлений терморезисторов NTC-типа при различных температурах. Представлена программа для расчетов сопротивлений терморезисторов, а также эксперимент по проверке точности расчетов этой программы.

Разработка цифро-аналогового преобразователя и исследование изменения характеристик при различных температурах для процесса 14 нм

В статье изложена разработка цифро-аналогового преобразователя для процесса 14 нм и иследование изменения его параметров при нагреве.

Измеритель коэффициента стоячей волны

В статье рассмотрено устройство для измерения коэффициенты стоячей волны. Приведены структурная и функциональная схемы.

Исследование изменения подвижности (мобильности) электронов и скорости насыщения МОП транзистора при нагреве для технологического процесса 14 нм

В статье исследованы зависимость подвижности (мобильности) электронов и зависимость скорости насыщения транзистора при нагреве.

Похожие статьи

Разработка устройства, получающего вольтамперные характеристики МДП-транзистора

В данной статье предложена разработка устройства для получения вольтамперных характеристик (ВАХ) МДП-транзистора с выводом данных на компьютер со следующими характеристиками: напряжение на затворе от 0 до 5В, напряжение сток-исток от 0 до 10В, темпер...

Определение энергии потерь переходных процессов переключения полупроводниковых приборов методами компьютерного моделирования

В настоящей работе с помощью методов компьютерного моделирования было произведено определение энергии потерь переходных процессов переключения полевого транзистора при работе в ключевом режиме в цепи с активно-индуктивной нагрузкой на примере существ...

Исследование изменения порогового напряжения МОП транзистора при нагреве для технологического процесса 14 нм

В статье исследованы изменения порогового напряжения транзистора при нагреве и применение этого исследования на простом инверторе.

Особенности преобразователя с активным ограничением напряжения

В статье рассмотрен способ размагничивания сердечника с помощью активного ограничения напряжения.

Разработка системы измерения сопротивления

В данной статье рассматривается МП-система измерения сопротивления. Данная система способна проводить измерение сопротивлений в диапазоне от 1 Ом до 1 кОм с точностью 1 %. Основой системы является 8-разрядный АЦП К1107ПВ2.

Измеритель среднего уровня тока

В данной статье представлена разработка устройства измерения среднего уровня тока с диапазоном измерения 0,01–1 А.

Программа для расчёта электрического сопротивления терморезисторов NTC-типа

В статье рассматривается проблема расчета сопротивлений терморезисторов NTC-типа при различных температурах. Представлена программа для расчетов сопротивлений терморезисторов, а также эксперимент по проверке точности расчетов этой программы.

Разработка цифро-аналогового преобразователя и исследование изменения характеристик при различных температурах для процесса 14 нм

В статье изложена разработка цифро-аналогового преобразователя для процесса 14 нм и иследование изменения его параметров при нагреве.

Измеритель коэффициента стоячей волны

В статье рассмотрено устройство для измерения коэффициенты стоячей волны. Приведены структурная и функциональная схемы.

Исследование изменения подвижности (мобильности) электронов и скорости насыщения МОП транзистора при нагреве для технологического процесса 14 нм

В статье исследованы зависимость подвижности (мобильности) электронов и зависимость скорости насыщения транзистора при нагреве.

Задать вопрос