В статье описаны экспериментальные гистерезесные (вольт-амперные) и импульсные характеристики полосковых линий, содержащих углеродные волокна или оксид графена. Описана математическая модель таких линий. Рассмотрели возможность использования таких линий передачи для разработки различных устройств наноэлектронике.
Ключевые слова : оксид графена, углеродное волокно, гистерезис, импульсная характеристика, вольт-амперная характеристика.
Семейство углерода состоит из нескольких аллотропов от идеального проводника (т. е. графена до диэлектрика (т. е. алмаза), а также полупроводниковых типов углерода, таких как углеродные нанотрубки (УНТ), оксид графена (ОГ), восстановленный оксид графен (вОГ) [1].
Среди полупроводниковых углеродных материалов ОГ представляют собой двумерный (2D) полупроводниковый материал, который используется для создания фотоэлектрических устройства, электрических батарей, топливных элементов и суперконденсаторов [2].
Восстановленный оксид графена вОГ получают химически, уменьшая ОГ с помощью соответствующего восстановительного агента, например, гидразина, или витамина-C. Поэтому вОГ обладает повышенными электрическими и оптическими свойствами по сравнению с другими ОГ3].
Углеродное волокно (УВ) — материал, состоящий из тонких нитей диаметром от 5 до 15 мкм, образованных преимущественно атомами углерода. В работе [4] описаны электрические свойства УВ. В ней рассматривается зависимость электрического сопротивления УВ от температуры обработки и времени. Указывается, что погонное сопротивление изменяется в широких пределах.
Углеродные волокна и стекловолокна применяются в основном для изготовления полимерных композиционных материалов (углепластика и стеклопластика). В частности, из углепластика и стеклопластика изготавливаются рефлекторы антенн [5]. Отмечается, что собственное отражение радиосигнала у углепластика в высокочастотном диапазоне составляет 85–92 %, поэтому на поверхность рефлектора для достижения максимально коэффициента отражения наносят металлические пленки.
Гистерезисные явления активно изучаются в технике и физике. Помимо этого в ряде работ отмечалось наличие гистерезисных явлений в изученных явлениях. Возможность исследования моделей систем с гистерезисом основывается на операторной трактовке гистерезисных нелинейностей, развитой М. А. Красносельским и его учениками [6].
Учет нелинейностей гистерезисной природы приводит к необходимости пересмотра подходов к решению целого ряда задач моделирования и анализа динамических процессов и систем.
Описание конструкции
Были изготовлены медные отрезки несимметричных полосковых линий (НПЛ), в разрывы которых, шириной 2 мм, включены отрезки УВ и вОГ. Отрезки УВ и вОГ плотно прижимались к концам отрезков НПЛ и фиксировались с помощью полимерной клеящейся пленкой. Концы отрезков УВ и вОГ имели контакт с медными полосками. Соединение с измерительными приборами осуществлено посредством коаксиально-полосковых переходов. В качестве диэлектрической подложки использовался материал Флан-3.8 толщиной 2 мм, диэлектрическая проницаемость которого . Размер платы, на которой изготовлена полосковая линия 80×58×2 мм. Полосковая линия изготовлена методом фрезерования медной фольги. Волновое сопротивление отрезков НПЛ составляло 50 Ом.
Экспериментальные исследования проводились на двух образцах. Образец 1 содержал две НПЛ с УВ, у которой одна НПЛ покрыта оловом. Образец 2 содержал 1 НПЛ с вОГ.
Фото этих образцов приведены на рис. 1 и рис. 2.
Рис. 1. Образец 1: 1 — НПЛ медь-углерод-медь; 2- НПЛ олово — углерод-олово
Рис. 2. Образец 2: НПЛ медь-вОГ-медь
Методика экспериментальных исследований
Для исследования гистерезесных процессов была собрана экспериментальная установка (см. рис. 3), содержащая генератор сигналов произвольной формы Tektronix AFG 3101 и четырехвходовый осциллограф Tektronix TDS 3034B, подключенный к компьютеру.
Эквивалентная схема экспериментальной установки приведена на рис. 4.
Рис. 3. Экспериментальная установка
Рис. 4. Эквивалентная схема экспериментальной установки: Е ген — генератор пилообразного напряжения; Z ген — выходное сопротивление генератора; Z 1 — входное сопротивление входа А осциллографа; Z 2 — входное сопротивление входа В осциллографа; Z х — распределенное сопротивление исследуемой линии
Параметры экспериментальной установки были настроены следующим образом:
Е ген = ± 10 В, F пов = 1МГц, Z ген = 50 Ом, Z 1 = 1 Мом, Z 2 = 50 Ом
Так как измерения идут на относительно низких частотах, то можно принять, что входной I 1 и выходной I 2 токи НПЛ равны. Тогда I 2 , протекающий через НПЛ определяем через напряжение U 2 на входе осциллографа «В»:
I 2 =U 2 /Z 2 .
Измеренные напряжения на входе и выходе образцов приведены на рис. 5. Снятые напряжения сохранялись в компьютере для дальнейшей обработки.
Рис. 5. Напряжения на входе U 1 и выходе U 2 НПЛ разных образцов
По полученным экспериментальным результатам были построены вольт-амперные характеристики (ВАХ) для трех НПЛ, рис. 6 а,б,в.
а) НПЛ медь-вОГ-медь
б) НПЛ медь-УВ-медь
в) НПЛ олово-УВ-олово
Рис. 6. Вольт-амперные характеристики НПЛ
Полученные ВАХ показывают, что у некоторых НПЛ наблюдаются гистерезесные свойства, таких как НПЛ медь-вОГ-медь (рис. 8а) и медь-углерод-медь (рис. 6 б). Было выдвинуто предположение, что эти НПЛ ведут себя как RC-фильтр.
Для проверки этого предположения были сняты приведенные импульсные характеристики исследуемых НПЛ, которые представлены на рис. 7.
Рис. 7. Импульсные характеристики НПЛ
Как видно из рис. 7, НПЛ медь-вОГ-медь обладает ярко выраженными свойствами RC-фильтра или линии задержки. Время задержки составила 260 пс по уровню 0,5.
В Mathad была разработана математическая модель распределенного RC-фильтра.
На рис. 8 представлены входные и выходные напряжения, полученные для модели RC-фильтра, а на рис. 9 — ее ВАХ
Рис. 8. Напряжения на входе и выходе модели RC-фильтра
Рис. 9. Рассчитанная ВАХ модели RC-фильтра
Как видно из рис. 5, 6 и 8, 9, наблюдается хорошая корреляция между экспериментом и расчетом.
Заключение
Были получены вольт-амперные и импульсные характеристики несимметричных полосковых линий на основе УВ и вОГ. Были выявлены нелинейные свойства, эффект сглаживающего фильтра, который формирует петлю гистерезиса.
Математической моделью таких НПЛ является длинная линия с волновым сопротивлением 50 Ом и большими погонными омическими потерями (100 Ом/м) и длиною 1 м.
Описываемые эффекты могут найти применение в наноэлектронике. Например, при срабатывании различных пороговых элементов в электронных устройствах, требуется задержка во времени. Также, гистерезис используется в компараторах или триггерах Шмидта с целью стабилизации работы устройств, которые могут срабатывать в результате помех или случайных всплесков напряжения. Задержка по времени исключает случайные отключения электронных узлов.
Литература:
- I. K. Moon, J. Lee, R. S. Ruoff, H. Lee, Reduced graphene oxide by chemical graphitization, Nature Communications 1 (2010) 73.
- [2] X. Cui, R. Lv, R. U. R. Sagar, C. Liu, Z. Zhang, Reduced graphene oxide/carbon nanotube hybrid film as high performance negative electrode for supercapacitor, Electrochimica Acta 169 (2015) 342–350.
- F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, A. C. Ferrari, Graphene photonics and optoelectronics, Nat Photon 4(9) (2010) 611–622.
- Morgan P. Carbon Fibers and Their Composites. Talor &Francis Group. 2005. — 1131 p.
- Михеев А. Е., Гирн А. В., Раводина Д. В., Хоменко И. И., Алякрецкий Р. В. // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М. Ф. Решетнева. 2015. Т. 16. № 4. С. 898–906.
- Красносельский М. А., Покровский А. В. Системы с гистерезисом. — М.: Наука, 1983. — 271 с.