Коррекция импульсов управления матрицей лазерных диодов для ИК-спектроскопии | Статья в журнале «Молодой ученый»

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 26 октября, печатный экземпляр отправим 30 октября.

Опубликовать статью в журнале

Автор:

Научный руководитель:

Рубрика: Технические науки

Опубликовано в Молодой учёный №23 (522) июнь 2024 г.

Дата публикации: 09.06.2024

Статья просмотрена: 5 раз

Библиографическое описание:

Волошин, А. К. Коррекция импульсов управления матрицей лазерных диодов для ИК-спектроскопии / А. К. Волошин. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2024. — № 23 (522). — С. 24-27. — URL: https://moluch.ru/archive/522/115443/ (дата обращения: 16.10.2024).



В статье рассматриваются методы управления параметрами импульса источника питания полупроводниковых лазеров.

Ключевые слова: матрица лазерных диодов, спектроскопия, источник питания.

Блоки формирования импульса управления матрицей лазерных диодов, основанные на компонентах широкого назначения, нуждаются в точном контроле выходного тока и строгой настройке длительности импульса, фронта, а также должны обеспечивать отсутствие всплесков тока и ход обратного тока на срезе импульса. Это обуславливается тем, что матрицы лазерных диодов чувствительны к импульсным помехам, а ток обратной полярности по срезу импульса наносит полупроводниковым устройствам необратимые повреждения, влекущие за собой выход из строя.

Предпочтительным вариантом является управление параметрами импульса при помощи корректирующих цепей. Однако применение в качестве стабилизатора тока интегральных микросхем в большей части случаев неприемлемо, так как они работают в импульсном режиме, что несовместимо с лазерными матрицами. Поэтому в корректирующих цепях используют дискретные компоненты.

Моделирование цепей выполнялось в программном пакете Micro-Cap при следующих параметрах управляющего импульса: время задержки переднего фронта (TD) — 0 мкс; время нарастания переднего фронта (TR) — 85 мкс; время спада заднего фронта (TF) — 15; величина полки импульса (PW) — 1 мкс. Такие параметры были выбраны исходя из применений подобных методов коррекции. Дело в том, что для импульсных источников питания требуется наличие полки, однако для питания полупроводниковых лазеров в вопросах ИК-спектроскопии она не требуется. В таком случае на матрицу лазерных диодов подается пилообразный сигнал.

Рассмотрим 3 вида корректирующих цепей:

— корректирующие цепи с конденсатором, включенным параллельно нагрузке;

— корректирующие цепи с индуктивностью, последовательной с нагрузкой;

— корректирующие цепи с транзистором в активном режиме и обратной связью по току.

Корректирующие цепи с конденсатором, включенным параллельно нагрузке, состоит из последовательной RC-цепи (R1,C1) и диода D10. Величина сопротивления R2 отвечает за вычитание тока корректирующей цепи из тока на входе матрицы, тем самым убирая помехи. D1-D9 — матрица лазерных диодов (Рис. 1).

Корректирующая цепь с конденсатором, включенным параллельно нагрузке

Рис. 1. Корректирующая цепь с конденсатором, включенным параллельно нагрузке

Подбор оптимальных параметров позволил получить импульсы, представленные на рис. 2.

Результат коррекции импульса при помощи конденсатора, параллельного нагрузке

Рис. 2. Результат коррекции импульса при помощи конденсатора, параллельного нагрузке

Применение корректирующих цепей с индуктивность, включенной последовательно с нагрузкой, позволяет получить похожие результаты. Связано это с тем, что цепь работает по тому же принципу, что и предыдущая, однако для питания нагрузки используется частичная разрядка индуктивного накопителя энергии.

Схема цепи представлена на рис. 3. Путем согласования сопротивления R1 и индуктивности L1 добиваются сложения тока, что и дает импульс нужной формы (рис. 4).

Корректирующая цепь с индуктивностью, включенной параллельно нагрузке

Рис. 3. Корректирующая цепь с индуктивностью, включенной параллельно нагрузке

Результат коррекции импульса при помощи конденсатора, параллельного нагрузке

Рис. 4. Результат коррекции импульса при помощи конденсатора, параллельного нагрузке

Наилучшие результаты были получены при моделировании цепи коррекции с транзистором в активном режиме и обратной связью по току (Рис. 5).

Корректирующая цепь с транзистором в активном режиме и обратной связью по току

Рис. 5. Корректирующая цепь с транзистором в активном режиме и обратной связью по току

Описывая ее принцип действия, можно сказать, что цепь работает фактически так же, как пропорционально-интегрально-дифференцирующий регулятор. Цепь позволяет контролировать форму импульса в нагрузке в широком диапазоне длительности импульса, чего нельзя сказать о первых двух методах. Кроме того, стоит обратить внимание, что в данной цепи реализуется функция системы аварийной защиты и генерация управляющих импульсов ключа. Результат коррекции представлен на рис. 6.

Результат коррекции импульса при помощи транзистора в активном режиме с обратной связью по току

Рис. 6. Результат коррекции импульса при помощи транзистора в активном режиме с обратной связью по току

При разработке цепей коррекции всегда следует обращать внимание на диапазон изменения параметров импульсов. В малой области изменений можно воспользоваться цепями коррекции с конденсатором, параллельным нагрузке, или индуктивностью, последовательной нагрузке. Однако при увеличении требуемого диапазона изменений параметров предпочтение стоит отдать цепи коррекции с транзистором в активном режиме и обратной связью по току.

Литература:

1. Браун М. Источники питания. Расчет и конструирование. — МК-пресс, 2007. — 288 с.

2. Технологические процессы лазерной обработки: Учебное пособие для вузов. Под редакцией А. Г. Григорьянца. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2006. — 665 с.

Основные термины (генерируются автоматически): активный режим, обратная связь, корректирующая цепь, цепь, нагрузка, результат коррекции импульса, передний фронт, помощь конденсатора, срез импульса, цепь коррекции.


Ключевые слова

спектроскопия, источник питания, матрица лазерных диодов

Похожие статьи

Формирование системы волноводных каналов голографическим методом в фотополимерно-жидкокристаллической композиции

В статье представлены и описаны система и расчет волноводных каналов, определение показателя преломления, представлен процесс фотополимеризации.

Источник питания диодного лазера

В данной статье рассматривается одно из возможных конструкций источника питания маломощного твердотельного лазера с диодной накачкой, его структурная и электрическая принципиальная схемы, основные технические параметры и характеристики.

Применение лазеров в полупроводниковой технологии

В статье рассматриваются физические основы воздействия лазерного излучения с полупроводниковым веществом. Показаны возможности и условия для обработки полупроводниковых кристаллов с помощью лазерной техники.

Некоторые аспекты автоматизированных исследований фазовых превращений полимерных материалов

В статье определена актуальность исследований фазовых превращений полимеров методом обработки токами высокой частоты.

Разработка цифро-аналогового преобразователя и исследование изменения характеристик при различных температурах для процесса 14 нм

В статье изложена разработка цифро-аналогового преобразователя для процесса 14 нм и иследование изменения его параметров при нагреве.

Исследование генерации второй гармоники твердотельного лазера с полупроводниковой накачкой

В представленной работе исследуется генерация второй гармоники твердотельного лазера с полупроводниковой накачкой.

Получение и применение фотонных кристаллов

В статье приведен способ теоретического расчета параметров фотонного кристалла, а также показан способ получения узкополосного светофильтра на основе одномерной фотонно-кристаллической пленки с последующим применением для генераций гармоник и субгарм...

Контроль структуры магнитного поля МПФС ЛБВ методом дискретного преобразования Фурье

Выполнен анализ распределения поперечной составляющей магнитного поля МПФС ЛБВ. Используется математический аппарат дискретного преобразования Фурье. Методика позволяет улучшить качество контроля магнитного поля постоянных магнитов МПФС. Расчеты выпо...

Физические основы работы и характеристики бесконтактных электромагнитно-акустических преобразователей

В работе исследуются физические свойства работы ЭМА-преобразователей. На основе общего решения задачи излучения для различных типов волн, излучаемых ЭМА-преобразователем, проводится анализ направленных свойств преобразователя в зависимости от различн...

Программа для расчёта электрического сопротивления терморезисторов NTC-типа

В статье рассматривается проблема расчета сопротивлений терморезисторов NTC-типа при различных температурах. Представлена программа для расчетов сопротивлений терморезисторов, а также эксперимент по проверке точности расчетов этой программы.

Похожие статьи

Формирование системы волноводных каналов голографическим методом в фотополимерно-жидкокристаллической композиции

В статье представлены и описаны система и расчет волноводных каналов, определение показателя преломления, представлен процесс фотополимеризации.

Источник питания диодного лазера

В данной статье рассматривается одно из возможных конструкций источника питания маломощного твердотельного лазера с диодной накачкой, его структурная и электрическая принципиальная схемы, основные технические параметры и характеристики.

Применение лазеров в полупроводниковой технологии

В статье рассматриваются физические основы воздействия лазерного излучения с полупроводниковым веществом. Показаны возможности и условия для обработки полупроводниковых кристаллов с помощью лазерной техники.

Некоторые аспекты автоматизированных исследований фазовых превращений полимерных материалов

В статье определена актуальность исследований фазовых превращений полимеров методом обработки токами высокой частоты.

Разработка цифро-аналогового преобразователя и исследование изменения характеристик при различных температурах для процесса 14 нм

В статье изложена разработка цифро-аналогового преобразователя для процесса 14 нм и иследование изменения его параметров при нагреве.

Исследование генерации второй гармоники твердотельного лазера с полупроводниковой накачкой

В представленной работе исследуется генерация второй гармоники твердотельного лазера с полупроводниковой накачкой.

Получение и применение фотонных кристаллов

В статье приведен способ теоретического расчета параметров фотонного кристалла, а также показан способ получения узкополосного светофильтра на основе одномерной фотонно-кристаллической пленки с последующим применением для генераций гармоник и субгарм...

Контроль структуры магнитного поля МПФС ЛБВ методом дискретного преобразования Фурье

Выполнен анализ распределения поперечной составляющей магнитного поля МПФС ЛБВ. Используется математический аппарат дискретного преобразования Фурье. Методика позволяет улучшить качество контроля магнитного поля постоянных магнитов МПФС. Расчеты выпо...

Физические основы работы и характеристики бесконтактных электромагнитно-акустических преобразователей

В работе исследуются физические свойства работы ЭМА-преобразователей. На основе общего решения задачи излучения для различных типов волн, излучаемых ЭМА-преобразователем, проводится анализ направленных свойств преобразователя в зависимости от различн...

Программа для расчёта электрического сопротивления терморезисторов NTC-типа

В статье рассматривается проблема расчета сопротивлений терморезисторов NTC-типа при различных температурах. Представлена программа для расчетов сопротивлений терморезисторов, а также эксперимент по проверке точности расчетов этой программы.

Задать вопрос