Сейчас как никогда, наиболее актуальной является проблема импортозамещения. Об этом любят говорить политики, руководители инновационных центров. Мы должны и можем быть независимы от других стран. Тем более, что ресурсы позволяют.
Так исторически сложилось, что мы не являемся полноправными, абсолютными и непререкаемыми открывателями в электронике. До сих пор ведутся споры, кто же изобрел радио: Попов, Маркони или даже Оливер Лодж. Сколько изобретений наших соотечественников ушли за границу, только потому, что они не были запатентованы. «Переманивание» на более благоприятных условиях также сыграло свою роль. Но, не смотря на это, наши инженеры, наши золотые умы продолжают творить. Другое дело, если бы это все имело поддержку должным образом у государства. Тогда, возможно, не было бы фактов опоздавших открытий и досадных промахов в инновационных изобретениях, которые смогли бы проложить дорогу к независимому будущему собственной электроники.
Например, В СССР создание электронной аппаратуры на основе интегральных микросхем началось с опоздания. Первая отечественная полупроводниковая интегральная схема «Тропа» с 20 элементами на кристалле являлась точной копией американской интегральной схемы серии SN-51. Она была изготовлена в 1962 г.
Создание опытного производства полупроводниковых микросхем заняло в НИИ-35 три года (1962–1965гг.). Ещё два года ушло на освоение серийного производства с военной приёмкой (1967г.). К 1970 г. в СССР было произведено 3,5 млн. полупроводниковых интегральных схем шестидесяти девяти серий.
Американская микроэлектроника, тем временем, не стояла на месте и предлагала Пентагону и NASA все более и более перспективные технические идеи и разработки. Одной из них, перевернувшей мир техники, а в дальнейшем и сам уклад общественной жизни, стал микропроцессор — центральный процессор ЭВМ общего назначения.
Это было в прошлом. А что сейчас? Прочно занята ниша современных гаджетов, бытовой техники, здесь мы определенно отступаем. Но перспективы для отечественных производителей тем не менее сохраняются в сегменте специальной радиоэлектроники, которая используется при производстве современных систем вооружения, в атомной промышленности, космической и прочих наукоемких отраслях.
К примеру, хочется отметить ФГУП НПП «Исток», разрабатывающий новую линию, возможности которой в полном цикле технологических процессов:
- автоматизированное проектирование и изготовление фотошаблонов;
- вакуумное (резистивное, электронно-лучевое, магнетронное) напыление проводящих и резистивных пленок;
- прецизионная фотолитография;
- лазерная прецизионная прошивка отверстий и размерная обработка подложек;
- химическая металлизация отверстий и гальваническое наращивание слоев Cu, Ni, Au;
- прецизионная резка подложек алмазными дисками.
Одно из самых современных производств — участок многослойных коммутационных плат с СВЧ трактом по технологии LTCC(низкотемпературная керамика). И самое высокотехнологическое производство — пилотная линия промышленного производства монолитных интегральных схем и транзисторов СВЧ диапазона на основе арсенида галлия, предназначенных для телекоммуникационной радиоэлектронной аппаратуры. Что особо примечательно, ведь мощную вакуумную и твердотельную СВЧ-электронике, без которой немыслимы современное вооружение и космическая техника, производят всего шесть государств, в том числе Россия.
Другим положительным примером является ЗАО «НПФ «ДОЛОМАНТ». Номенклатура их продукции весьма разнообразна. На уровне модулей хорошо себя зарекомендовали процессорные платы формата РС104. Платформа ГРИФОН (Изделие может включать в состав одного конструктива до 9 вычислительных модулей различной архитектуры — традиционный х86, ПЛИС и GPU). Компания выпускает две модели защищенных планшетов серии ОНИКС — с диагональю экрана 8 и 12 дюймов. Старшая модель ОНИКС12 предназначена для работы в качестве бортового компьютера на колесном транспортном средстве в качестве картографического средства с возможностью контроля по каналам CAN и Ethernet оборудования как самого транспортного средства, так и установленных на нем подсистем различного назначения. При изменении ситуации, планшет может быть снят с док-станции и использоваться автономно как средство индивидуального пользования командира или для проведения сервисных операций.
Есть и другие примеры. Сибирский химический комбинат (СХК) Росатома при участии ученых Томского политехнического университета (ТПУ) произвел образец бериллия, который впервые был наработан в России. Сейчас этот металл производят только в трех странах: Казахстане, Китае и США. Бериллий используется в атомной, аэрокосмической промышленности, машиностроении, в рентгенотехнике, при производстве лазерных и огнеупорных материалов, при создании ракетного топлива. Металл используют в основном как добавку к сплавам, что позволяет значительно повысить их твердость и прочность. А в Санкт-Петербурге разработали уникальный способ выращивания кристаллов для светодиодов.
Несомненно, положительная динамика в импортозамещении есть. Но есть и другая сторона. Сложно ожидать от иностранных государств, достигших успехов в высоких технологиях (например, в микроэлектронике) добровольного отказа от лидерских позиций — для этого есть экспортные лицензии и патенты. «Закрывающие» патенты не позволят делать то, что уже сделано — а лицензию на использование патента могут и не продать, а если продать — то по цене, не позволяющей выпустить конкурентоспособный продукт. Это все делает крайне затруднительным выход на уже занятые рынки с аналогичным продуктом — обязательно нужно придумывать что-то новое.
Для новых открытий, замещений старых и удачной реализации есть одно важное условие — это должно быть выгодно. Должны быть люди, у которых есть деньги на проверку и патентную защиту своих идей. И эти люди должны быть грамотными в своих областях. Должна быть возможность для выхода «в народ», для общего потребления. Нужно чтобы новинку смогли принять и применить (процесс реализации не должен быть усугублен логистическими и бюрократическими сложностями).
Но что мы имеем на самом деле? Сейчас легче и выгоднее купить готовое, перепродать и получить быструю прибыль. Это наиболее выгодная стратегия. Чтобы создавать новое, инновационное, требуются огромные затраты. К тому же есть огромный риск, связанный с реализацией нового продукта.
Подведя черту под сказанным, отметим следующие проблемы:
- Человеческий фактор. Не смотря на снижение уровня знаний выпускников технических ВУЗов, умные и квалифицированные инженеры есть. Но они предпочитают работать там, где их труд оценивается максимально высоко — за границей, в простом, но высокодоходном бизнесе. Некоторые иностранные эксперты, изучавшие российский рынок электроники, уверены, что отечественной отрасли не выжить без создания специальных центров подготовки кадров на предприятиях. Если этого не сделать, то процесс заказного проектирования также может сильно затормозиться, а через пару-тройку лет и вовсе обрушиться.
- Инновационные идеи проигрывают простому бизнесу по экономическим показателям. Мало кто готов оплачивать проверки 100 идей, чтобы хоть одна из них «выстрелила». Государство хоть и оказывает поддержку, но она мала. И не все носители идей могут ее получить;
- Для полного перехода с импортных разработок и технологий необходимо слишком много времени и ресурсов.
Заметим, что государство видит главной причиной заторможенности процесса импортозамещения отсутствие амбициозных, знающих специалистов. Специалисты же видят и понимают, что причина и в финансировании, и в общей динамики развития страны, и в готовности избавления от того, что хоть не наше, но привычно и не потребует внезапных вложений и затрат. Ведь оно абсолютно изучено и успешно внедрено во всех областях.
Но мы должны действовать в направлении импортозамещения. Пусть не сразу. Пусть рентабельность новых проектов будет не высока. Но это то, что будет являться национальным сокровищем и гордостью, предметом зависти и примером для подражания в других странах. Если стоять на месте, ничего не изменится. Необходимо двигаться в сторону абсолютной независимости от импорта. Нужно поверить в свои силы, не закапывать идеи, которые могут сначала казаться нерабочими и творить.
Литература:
1. Ursa-tm.ru. «Поездка на Научно-производственное предприятие «Исток»(Российская электроника) http://ursa-tm.ru/forum/index.php?/topic/66501-poezdka-na-nauchno-proizvodstvennoe-predpriiati/;
2. Worldcrisis.ru. «Почему в России нет коммерческого высокотехнологичного производства». http://worldcrisis.ru/crisis/1454521;
3. Ng.ru. «Светлое силиконовое будущее» Руслан Пухов. http://www.ng.ru/science/2013–11–13/12_silicon.html;
4. Oborona.ru. Импортозамещение электроники для ОПК — учимся жить «своим умом» http://www.oborona.ru/includes/periodics/defense/2014/0916/204014145/detail.shtml;
5. Sdlanounas.ru. «Лучшая лента новостей» http://www.sdelanounas.ru/blogs.
6. Шишкин Ф. Д. Особенности программируемых логических устройств / Ф. Д. Шишкин, Н. В. Горячев, В. А. Трусов // Молодой ученый. — 2015. — № 1. — С. 115–117.
7. Таньков Г. В. Механические и тепловые воздействия на РЭС / Г. В. Таньков, Н. В. Горячев, И. И. Кочегаров // Молодой ученый. — 2015. — № 1. — С. 112–113.
8. Трусов В. А. Программно-определяемые приемопередатчики и их применение / В. А. Трусов, Н. В. Горячев, В. Я. Баннов // Молодой ученый. — 2014. — № 21. — С. 234–236.
9. Реута Н. С. Разновидности механических воздействий в радиоэлектронной аппаратуре / Н. С. Реута, Н. В. Горячев, В. А. Трусов // Молодой ученый. — 2014. — № 21. — С. 224–226.
10. Воробьев Д. В. Применение унифицированных электронных модулей при создании генератора гармонических колебаний / Д. В. Воробьев, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Молодой ученый. — 2014. — № 20. — С. 114–117.
11. Прошин А. А. Базовая структура системы выбора радиатора электрорадиоизделия / А. А. Прошин, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Молодой ученый. — 2014. — № 20. — С. 206–209.
12. Воробьев Д. В. Шумы осциллографа при исследовании электронных средств / Д. В. Воробьев, Н. С. Реута, Н. В. Горячев // Молодой ученый. — 2014. — № 19. — С. 185–187.
13. Воробьев Д. В. Характеристики и источники механических воздействий на радиоэлектронные средства / Д. В. Воробьев, Н. С. Реута, Н. В. Горячев // Молодой ученый. — 2014. — № 19. — С. 182–185.
14. Сивагина Ю. А. Обзор современных симплексных ретрансляторов радиосигналов / Ю. А. Сивагина, И. Д. Граб, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2012. Т. 1. С. 393–395.
15. Граб И. Д. Совершенствование метода термокомпенсации синтезатора частоты с использованием бесконтактного датчика температуры / И. Д. Граб, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. Т. 2. С. 129–130.
16. Стрельцов Н. А. SDR-трансиверы и их применение / Н. А. Стрельцов, Н. В. Горячев, В. А. Трусов // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2014. Т. 1. С. 281–282.
17. Бростилов С. А. Метрологический анализ измерительной подсистемы информационно-измерительной системы для исследования средств воздушного охлаждения / С.А Бростилов, Н. В. Горячев, Т. Ю. Бростилова // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2014. Т. 2. С. 127–129.
18. Grab I. D., Sivagina U. A., Goryachev N. V., Yurkov N. K. Research methods of cooling systems. Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific — рractical conference. Part 2. –M.: HSE, 2014, 443–446 pp.
19. Шуваев П. В. Формирование структуры сложных многослойных печатных плат / П. В. Шуваев, В. А. Трусов, В. Я. Баннов, И. И. Кочегаров, В. Ф. Селиванов, Н. В. Горячев // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 1. С. 364–373.
20. Сивагина Ю. А. Разработка ретранслятора радиосигналов и его компьютерной модели / Ю. А. Сивагина, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков, И. Д. Граб, В. Я. Баннов // Современные информационные технологии. 2013. № 17. С. 207–213.
21. Горячев Н. В. К вопросу реализации метода автоматизированного выбора системы охлаждения / Н. В. Горячев, И. И. Кочегаров, Н. К. Юрков // Алгоритмы, методы и системы обработки данных. 2013. № 3 (25). С. 16–20.
22. Подложенов К. А. Разработка энергосберегающих технологий для теплиц / К. А. Подложёнов, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Современные информационные технологии. 2012. № 15. С. 193–194.
23. Горячев Н. В. Проектирование топологии односторонних печатных плат, содержащих проволочные или интегральные перемычки / Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. Т. 2. С. 122–124.
24. Белов А. Г. Обзор современных датчиков утечки воды / А. Г. Белов, Н. В. Горячев, В. А. Трусов, Н. К. Юрков // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 2. С. 34–36.
25. Горячев Н. В. Концепция создания автоматизированной системы выбора теплоотвода электрорадиоэлемента / Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Современные информационные технологии. 2010. № 11. С. 171–176.
26. Петрянин Д. Л. Анализ систем защиты информации в базах данных / Д. Л. Петрянин, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 1. С. 115–122.
27. Горячев Н. В. Исследование и разработка средств и методик анализа и автоматизированного выбора систем охлаждения радиоэлектронной аппаратуры / Горячев Н. В., Танатов М. К., Юрков Н. К. // Надежность и качество сложных систем. 2013. № 3. С. 70–75.
28. Горячев Н. В. Автоматизированный выбор системы охлаждения теплонагруженных элементов радиоэлектронных средств / Н. В. Горячев, И. Д. Граб, К. С. Петелин, В. А. Трусов, И. И. Кочегаров, Н. К. Юрков // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии. 2013. № 4. С. 136–143.
29. Меркульев А. Ю. Системы охлаждения полупроводниковых электрорадиоизделий / А. Ю. Меркульев, Н. В. Горячев, Н. К. Юрков // Молодой ученый. — 2013. — № 11. — С. 143–145.
30. Трифоненко И. М. Обзор систем сквозного проектирования печатных плат радиоэлектронных средств / И. М. Трифоненко, Н. В. Горячев, И. И. Кочегаров, Н. К. Юрков // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2012. Т. 1. С. 396–399.
