Исследование материалов, содержащих экситоны, сохраняющие стабильность при комнатной температуре | Статья в сборнике международной научной конференции

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 23 ноября, печатный экземпляр отправим 27 ноября.

Опубликовать статью в журнале

Библиографическое описание:

Андронов, И. А. Исследование материалов, содержащих экситоны, сохраняющие стабильность при комнатной температуре / И. А. Андронов. — Текст : непосредственный // Исследования молодых ученых : материалы XIII Междунар. науч. конф. (г. Казань, октябрь 2020 г.). — Казань : Молодой ученый, 2020. — С. 1-4. — URL: https://moluch.ru/conf/stud/archive/380/16028/ (дата обращения: 15.11.2024).



В статье автор представляет результаты работы и исследований материалов с энергией связи достаточной для того, чтобы экситоны существовали при комнатной температуре.

Ключевые слова: комнатная температура, спектр фотолюминесценции монокристалла, энергия связи, отвечающая аннигиляция, температура, экситон.

Для полупроводников: ε =10–15, m r < m o , поэтому : r ex =1–5 нм > 𝛼 0 =0.2–0.5 нм–постоянной решетки кристаллов и >> 𝛼 B =0.053 нм — боровского радиуса в атоме водорода, что указывает на делокализацию экситона по многим атомам кристалла.

Энергия связи Еex=1–15 мэВ, что меньше тепловой энергии kBT=26 мэВ при Т=300 К.

Поэтому экситон термодинамически нестабилен при комнатной температуре.

Экситонное поглощение имеет место для энергий фотонов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника и проявляется при низкой температуре как узкие линии ниже края межзонного поглощения.

.

Рис. 1.

Примеры спектров экситонного поглощения

Рис. 2. Примеры спектров экситонного поглощения

Eвх =2–16 мэВ, что меньше, чем энергия теплового движения при комнатной температуре (26 мэВ).

Наблюдение экситонных пиков поглощения в объеме полупроводника возможно при низких температурах. В полупроводниковых наноструктурах энергия связи возрастает и экситоны стабильны даже при комнатной температуре.

На кафедре физики РУТ (МИИТ) много лет работают с материалами ZnO и CuI, у которых энергия связи наблюдается в районе 60 мэВ. Этого достаточно чтобы экситоны существовали при комнатной температуре и даже выше. В настоящее время исследования в этом направлении продолжаются совместно с Физическим институтом Российской академии наук и Институтом физики НАН Белоруссии.

На рисунках 3 и 4 ниже представлены спектры люминесценции ZnO и СuI, соответственно, при различных температурах.

Спектры фотолюминесценции монокристалла ZnO при разных температурах (T = 10 ÷ 300 К) и возбуждении гелий-кадмиевым лазером (λ = 325 нм)

Рис. 3. Спектры фотолюминесценции монокристалла ZnO при разных температурах (T = 10 ÷ 300 К) и возбуждении гелий-кадмиевым лазером (λ = 325 нм)

На рисунке отчетливо видно, что при комнатной температуре структура спектра существенно упрощается, наблюдается единая относительно широкая полоса люминесценции с максимумом в районе λ = 380 нм, отвечающая аннигиляции свободных экситонов.

Аналогичная ситуация видна на рис.2, где при комнатной температуре остается полоса люминесценции в районе λ = 410 нм, отвечающая аннигиляции свободных экситонов.

Спектры фотолюминесценции монокристалла CuI при разных температурах (T = 80 ÷ 300 К) и возбуждении азотным лазером (λ = 337 нм)

Рис. 4. Спектры фотолюминесценции монокристалла CuI при разных температурах (T = 80 ÷ 300 К) и возбуждении азотным лазером (λ = 337 нм)

На спектрофлюориметре Cary Eclipse в лаборатории НОЦ ФИАТ нам удалось получить спектр фотолюминесценции монокристалла CuI при комнатной температуре.

Спектр люминесценции монокристалла CuI при Т=300 К

Рис. 5. Спектр люминесценции монокристалла CuI при Т=300 К

На рисунке хорошо видна полоса люминесценции свободных экситонов при λ = 410 нм. Люминесценция в этом диапазоне была настолько сильная, что измерительная схема с измерением не справилась, как говорят, «зашкалило».

Литература:

  1. Силин А. П. Экситон // Физическая энциклопедия: [в 5 т.] / Гл. ред. А. М. Прохоров. — М.: Большая российская энциклопедия, 1999. — Т. 5: Стробоскопические приборы — Яркость. — С. 501−504. — 692 с. — 20 000 экз. — ISBN 5–85270–101–7.
  2. Нокс Р. Теория экситонов, М., Мир, 1966
  3. Воронов В. К., Подоплелов А. В. Современная физика, М., КомКнига, 2005, ISBN 5–484–00058–0
  4. Гросс Е. Ф. Экситон и его движение в кристаллической решетке, — «Успехи физических наук», 1962, т. 76, в. 3;
  5. Экситоны в полупроводниках, [Сб. статей], — М., 1971;

Ключевые слова

температура, комнатная температура, спектр фотолюминесценции монокристалла, энергия связи, отвечающая аннигиляция, экситон

Похожие статьи

Десорбция поверхностных примесных атомов в Si, ТiO2 и SiO2 при воздействии лазерных импульсов

В статье рассматривается краткий обзор литератур, посвященные к физическим основам десорбции поверхностных атомов кремния, оксида ТiO2 и SiO2. Определено, что лазерный импульс вызывает десорбцию поверхностных атомов в вакуум и перераспределение приме...

Изучение влияния температурного и лазерного отжига на эмиссионные свойства сплава Pd-Ba

Сравнительный анализ показал, что в условиях высокого вакуума лазерная активировка приводит к значительно большему увеличению σm, чем в случае температурной активировки. Это объясняется интенсивным удалением примесных атомов О, С, S под действием лаз...

О диффузионных параметрах примесных атомов V группы элементов в кремнии

В работе проанализированы диффузионные процессы элементов V группы в кремнии и с помощью метода «наименьших квадратов» получены выражения, удовлетворяющие экспериментальные результаты для диффузионных параметров.

Влияние примесей инертного газа на режимы генерации магнетрона

В работе приведены исследования влияния частиц инертного газа на выходные характеристики магнетрона. Эксперименты показали, что соответствующим подбором концентрации примеси инертного газа можно добиться смещения частоты генерации на величину большую...

Скрининг неорганических Na-содержащих соединений, перспективных для создания твердых электролитов суперконденсаторов, электрохимических аккумуляторов и газовых сенсоров

С использованием топологического анализа (программный пакет TOPOS) проведено исследование путей миграции катионов в NaAs. Выявлено, что при повышенной температуре в данном материале способны образовываться каналы, указывающие на возможность существов...

О критической температуре сверхпроводящего фуллерена С28

В данной работе получено численное значение для критической температуры фуллерена С28 на основе потенциала электрон-фононного взаимодействия. Приведены примеры возможности применения фуллеренов в различных областях техники и микроэлектроники.

Получение и исследование оптических свойств тройного соединения AgInSe2

В работе исследовано влияние химической обработки поверхности кристаллов полупроводниковых соединений AgInS2 в растворе сульфида аммония и трет-бутилового спирта на фотолюминесцентные свойства. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции после о...

Электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на арсенид галлиявых подложке методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованиями вольтамперных и спектральных характеристик пленок при...

Поиск неорганических материалов для создания Na-ионных электрохимических батарей с использованием кристаллохимического анализа

Известно, что создание Li-ионных батарей было успешным в большой степени благодаря высокой ионной проводимости в структуре LiCoO2 [1]. Предсказание свойств материалов с помощью компьютерных вычислений позволяет значительно сократить время разработки ...

Фотокаталитические свойства наноразмерного оксида цинка, полученного с использованием суммарной энергии импульсной плазмы и энергии межфазной поверхности

Синтезированы наноструктуры Zn, с использованием суммарной энергии импульсной плазмы и энергии межфазной поверхности. Фазовый состав образцов установлен рентгенофазовым анализом (РФА). Морфология наноструктур изучена методами растровой электронной ми...

Похожие статьи

Десорбция поверхностных примесных атомов в Si, ТiO2 и SiO2 при воздействии лазерных импульсов

В статье рассматривается краткий обзор литератур, посвященные к физическим основам десорбции поверхностных атомов кремния, оксида ТiO2 и SiO2. Определено, что лазерный импульс вызывает десорбцию поверхностных атомов в вакуум и перераспределение приме...

Изучение влияния температурного и лазерного отжига на эмиссионные свойства сплава Pd-Ba

Сравнительный анализ показал, что в условиях высокого вакуума лазерная активировка приводит к значительно большему увеличению σm, чем в случае температурной активировки. Это объясняется интенсивным удалением примесных атомов О, С, S под действием лаз...

О диффузионных параметрах примесных атомов V группы элементов в кремнии

В работе проанализированы диффузионные процессы элементов V группы в кремнии и с помощью метода «наименьших квадратов» получены выражения, удовлетворяющие экспериментальные результаты для диффузионных параметров.

Влияние примесей инертного газа на режимы генерации магнетрона

В работе приведены исследования влияния частиц инертного газа на выходные характеристики магнетрона. Эксперименты показали, что соответствующим подбором концентрации примеси инертного газа можно добиться смещения частоты генерации на величину большую...

Скрининг неорганических Na-содержащих соединений, перспективных для создания твердых электролитов суперконденсаторов, электрохимических аккумуляторов и газовых сенсоров

С использованием топологического анализа (программный пакет TOPOS) проведено исследование путей миграции катионов в NaAs. Выявлено, что при повышенной температуре в данном материале способны образовываться каналы, указывающие на возможность существов...

О критической температуре сверхпроводящего фуллерена С28

В данной работе получено численное значение для критической температуры фуллерена С28 на основе потенциала электрон-фононного взаимодействия. Приведены примеры возможности применения фуллеренов в различных областях техники и микроэлектроники.

Получение и исследование оптических свойств тройного соединения AgInSe2

В работе исследовано влияние химической обработки поверхности кристаллов полупроводниковых соединений AgInS2 в растворе сульфида аммония и трет-бутилового спирта на фотолюминесцентные свойства. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции после о...

Электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на арсенид галлиявых подложке методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованиями вольтамперных и спектральных характеристик пленок при...

Поиск неорганических материалов для создания Na-ионных электрохимических батарей с использованием кристаллохимического анализа

Известно, что создание Li-ионных батарей было успешным в большой степени благодаря высокой ионной проводимости в структуре LiCoO2 [1]. Предсказание свойств материалов с помощью компьютерных вычислений позволяет значительно сократить время разработки ...

Фотокаталитические свойства наноразмерного оксида цинка, полученного с использованием суммарной энергии импульсной плазмы и энергии межфазной поверхности

Синтезированы наноструктуры Zn, с использованием суммарной энергии импульсной плазмы и энергии межфазной поверхности. Фазовый состав образцов установлен рентгенофазовым анализом (РФА). Морфология наноструктур изучена методами растровой электронной ми...